SFM8P1102/SFM8P1102B

芯片描述


SFM8P1102 是一個基于CMOS 技術的 8 位微控制器,其核心是一個嵌入式的8位 CPU , 片內包含80×8Bit 的SRAM,2k×16Bit OTP ROM,18 個輸入/輸出口(P21 為開漏輸出)、中斷控制器、片內RC 振蕩器、內部晶體振蕩器、定時器/計數器、看門狗電路、低壓檢測電路、數模轉換電路、比較器/運放電路、脈寬調制電路。它是一個功能強大的微控制電路。主要應用于移動電源、高端智能充電器、電動車主控板等。

芯片特點

2k×16-bit OTP ROM   80×8-bit SRAM
8 級堆??臻g   可編程 WDT 預分頻器
可編程 WDT 時間(4.5ms、18ms),可控制 WDT 自由運行時間   帶信號源選擇、觸發沿選擇、溢出中斷及預分頻器的 8 位實時時鐘/計數(TCC)
工作電壓范圍:2.1V~5.5V(-0℃~70℃)2.3V~5.5V(-40℃~85℃)   工作頻率范圍(2 分頻):
晶振模式:DC~16MHz,4.5V;DC~8MHz,3V; DC~4MHz,2.1V
ERC 模式:DC~2MHz,2.1V
IRC 模式:16MHz,4MHz,1MHz,8MHz
系統高低頻率的界限是 400kHz   低功耗:
小于 1.5mA(4MHz/5V) 典型 15?A  (32kHz/3V)
典型 2?A(睡眠模式,WDT 關閉,LVD 關閉)
內置 RC 振蕩電路:16MHz、1MHz、4MHz、8MHz   低壓復位:4.0V±0.3V、3.5V±0.3V、2.7V±0.3V @25℃
低壓檢測:4.5±0.2V、4.0±0.2V、3.3±0.2V、2.2±0.2V @25℃   中斷源:
TCC 溢出中斷 (IDLE 模式喚醒)
外部中斷 (SLEEP/IDLE 模式喚醒)
比較器輸出狀態改變中斷 (SLEEP/IDLE 模式喚醒)
ADC 轉換完成中斷 (SLEEP /IDLE 模式喚醒)
PWM1~3 周期中斷 (IDLE 模式喚醒)
PWM1~3 占空比中斷 (IDLE 模式喚醒)
P0 端口輸入狀態改變中斷 (SLEEP /IDLE 模式喚醒)
LVD 中斷 (SLEEP /IDLE 模式喚醒)
雙向 I/O 口:
17 位可編程控制 pull-high I/OS(P1<7:0>,P0<7:0>,P20)
16 位可編程控制 open-drain I/OS(P1<7:0>,P0<7:0>)
17 位可編程控制 pull-low I/OS(P1<7:0>,P0<7:0>,P20)
14 位可編程控制 high-sink current I/OS  (P1<7:0>,P0<7:6>,P0<4:1>)
  指令周期長度選擇:2/4/8/16 個振蕩時鐘
封裝形式:DIP/SOP/SSOP20,DIP/SOP18      

芯片框圖


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